Микросхема F-RAM Infineon FM22L16-55-TG, 4 Мбит, параллельная, 55 нс, TSOP-II-44
Бесплатная доставка до транспортной компании
Технические параметры
Тип
М/с памяти серии FM22L16-55-TG
Диапазон рабочих температур
-40…+85 °С
Напряжение питания
2,7…3,6; Uраб. - 3,3 В
Корпус
TSOP-44
Упаковка
TRAY, 135 шт.
Описание
4-Mbit (256K × 16) F-RAM Memory
Время
доступа - 55 нс
Интерфейс
Parallel
MSL(Уровень чувствительности к влажности)
3
Память
FRAM 4 Мбит (256 Кбит х 16)
Тип монтажа
поверхностный (SMT)
Вес брутто
4.22
Транспортная упаковка: размер/кол-во
66*45*40/135
Категория:
Наименование
FM22L16-55-TG
Показать весь текст
Описание
Микросхема F-RAM Infineon FM22L16-55-TG, 4 Мбит, параллельная, 55 нс, TSOP-II-44 представляет собой энергонезависимую ферроэлектрическую память с параллельным интерфейсом и организацией 256K × 16 бит. Время доступа составляет 55 нс, что позволяет выполнять быстрые операции чтения и записи данных. В отличие от традиционной EEPROM или Flash-памяти, F-RAM рассчитана на очень большое количество циклов перезаписи и не требует длительной внутренней процедуры программирования после каждой операции. SRAM-совместимая организация интерфейса упрощает использование компонента в высокоскоростных цифровых системах. Микросхема выполнена в корпусе TSOP-II-44.
Применение:
- Используется для частой записи и энергонезависимого хранения рабочих данных.
- Подходит для счетчиков, журналов событий и систем регистрации параметров.
- Применяется в промышленной автоматике, измерительной технике и контроллерах.
- Может использоваться как энергонезависимая память с быстрым параллельным доступом.
Доставка
Мы доставляем по всей России. Ниже представлены примерные сроки доставки в крупные города:
Техническая документация
Остались вопросы по товару?
Менеджер профессионально ответит
на ваши вопросы
Раздел не найден
В наличии: 23 шт.
Цена: 1 030.09 руб.
x
В наличии: 1 шт.
Цена: 1 134.80 руб.
x
