Микросхема SRAM ISSI IS61WV51216BLL-10TLI, 8 Мбит, параллельная, 10 нс, TSOP-II-44
Производитель:
ISSI
Бесплатная доставка до транспортной компании
Технические параметры
Тип
Статическое асинхронное ОЗУ
Диапазон рабочих температур
-40…+85 °С
Напряжение питания
2,4 … 3,6 В
Корпус
TSOP-44 (0.400", 10.16mm Width)
Упаковка
Tray, 135 шт.
Описание
SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mbit Parallel 10 ns
Время
доступа - 10 нс
Интерфейс
Parallel
MSL(Уровень чувствительности к влажности)
3
Память
SRAM - Asynchronous 8Мбит (512Кбитх16)
Тип монтажа
поверхностный (SMT)
Вес брутто
2.59
Транспортная упаковка: размер/кол-во
58*46*40/135
Категория:
Наименование
IS61WV51216BLL-10TLI
Показать весь текст
Описание
Микросхема SRAM ISSI IS61WV51216BLL-10TLI, 8 Мбит, параллельная, 10 нс, TSOP-II-44 представляет собой высокоскоростную асинхронную статическую память для временного хранения данных в цифровых устройствах. Память организована как 512K × 16 бит и имеет общий объем 8 Мбит. Параллельная шина обеспечивает непосредственный доступ к 16-разрядным словам, а время доступа 10 нс позволяет использовать компонент в быстродействующих вычислительных и управляющих системах. SRAM не требует регенерации содержимого, но относится к энергозависимой памяти и теряет данные при отключении питания. Микросхема выполнена в корпусе TSOP-II-44.
Применение:
- Используется как оперативная память в цифровых и встраиваемых устройствах.
- Подходит для процессоров, микроконтроллеров и FPGA с параллельной шиной данных.
- Применяется для буферизации информации и временного хранения результатов вычислений.
- Может использоваться в системах, где требуется время доступа к памяти около 10 нс.
Доставка
Мы доставляем по всей России. Ниже представлены примерные сроки доставки в крупные города:
Остались вопросы по товару?
Менеджер профессионально ответит
на ваши вопросы
701 шт. в производстве
Цена: 189.86 руб.
x
