MOSFET-транзистор IPD35N10S3L26ATMA1, N-канальный, 35 А, 100 В, DPAK
Бесплатная доставка до транспортной компании
Технические параметры
Мощность
рассеиваемая (Pd) - 71 Вт
Тип
MOSFET
Диапазон рабочих температур
-55…+175 °С
Способ монтажа
поверхностный (SMT)
Корпус
TO-252 (DPAK)
Упаковка
REEL, 2500 шт.
Описание
N-Channel MOSFET 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
MSL(Уровень чувствительности к влажности)
1
Тип монтажа
поверхностный (SMT)
Вес брутто
0.44
Транспортная упаковка: размер/кол-во
39*37*39/1000
Тип проводимости
N
Емкость, пФ
2700
Максимальное напряжение сток-исток, В
100
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А
35
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм
24
Заряд затвора, нКл
39
Максимальное напряжение сток-исток V(br)dss, В
100
Максимальный ток стока Id (при Tc=25C), А
35
Минимальное сопротивление открытого канала (Rds on), мОм
24
Категория:
Наименование
IPD35N10S3L26ATMA1
Показать весь текст
Описание
Полевой транзистор IPD35N10S3L26ATMA1 представляет собой N-канальный силовой MOSFET серии OptiMOS-T, предназначенный для эффективной коммутации в низковольтных силовых цепях. Модель рассчитана на напряжение сток-исток до 100 В и постоянный ток до 35 А, а максимальное сопротивление открытого канала составляет 24 мОм. Транзистор выполнен в компактном SMD-корпусе DPAK и квалифицирован по автомобильному стандарту AEC-Q101. Низкие потери проводимости и переключения позволяют применять компонент в преобразователях питания и автомобильной силовой электронике.
Применение:
- Используется в автомобильных преобразователях напряжения.
- Применяется в силовых ключах бортовых электронных систем.
- Подходит для DC/DC-преобразователей и импульсных источников питания.
- Используется в устройствах управления мощными низковольтными нагрузками.
Доставка
Мы доставляем по всей России. Ниже представлены примерные сроки доставки в крупные города:
Остались вопросы по товару?
Менеджер профессионально ответит
на ваши вопросы
В наличии: 490 шт.
Цена: 284.81 руб.
x