Транзистор полевой IRFD320PBF, N-канал, 60 В, 0.5 А, корпус DIP-4, без свинца
Бесплатная доставка до транспортной компании
Технические параметры
Мощность
рассеиваемая (Pd) - 1 Вт
Тип
MOSFET
Диапазон рабочих температур
-55…+150 °С
Напряжение
пороговое затвора (Vgs th) - 4В
Способ монтажа
Through Hole
Корпус
DIP-4 (0.300", 7.62mm)
Упаковка
TUBE, 100 шт.
Описание
MOSFET N-Channel 400 V 490mA
MSL(Уровень чувствительности к влажности)
1
Максимально допустимое напряжение
затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Вес брутто
0.73
Транспортная упаковка: размер/кол-во
64*56*53/2500
Тип проводимости
N
Емкость, пФ
410
Максимальное напряжение сток-исток, В
400
Заряд затвора, нКл
20
Категория:
Наименование
IRFD320PBF
Показать весь текст
Описание
Полевой транзистор IRFD320PBF с максимальным напряжением 60 В и током 0.5 А является N-канальным транзистором с корпусом DIP-4, выполненным без свинца, что соответствует экологическим стандартам. Этот транзистор идеально подходит для маломощных приложений, где требуется высокая стабильность и эффективность при низких напряжениях и токах. IRFD320PBF используется в схемах управления, усилителях и других устройствах, где требуется высокая производительность при маломощных токах и напряжениях до 60 В.
Применение:
- Используется в маломощных источниках питания и преобразователях для управления токами и напряжениями до 0.5 А.
- Применяется в усилителях и других устройствах с минимальным потреблением энергии и малым током.
- Широко используется в мобильных устройствах, портативной электронике и других устройствах с ограниченным пространством.
- Используется в схемах защиты и управления для маломощных приборов, обеспечивая стабильную работу при ограниченных токах и напряжениях.
- Применяется в логических схемах и переключающих устройствах для работы с малым током и низким напряжением.
Доставка
Мы доставляем по всей России. Ниже представлены примерные сроки доставки в крупные города:
Остались вопросы по товару?
Менеджер профессионально ответит
на ваши вопросы
