Транзистор биполярный FF200R12KT4HOSA1, ток коллекторный 200 А, напряжение коллектор-эмиттер 1200 В, мощность 2400 Вт
Бесплатная доставка до транспортной компании
Технические параметры
Мощность
рассеиваемая (Pd) - 1100 Вт
Тип
IGBT модуль
Напряжение
1200В
Корпус
Screw Mount Module 62 mm
Упаковка
TRAY, 10 шт.
Максимальный ток
320A
MSL(Уровень чувствительности к влажности)
1
Вес брутто
383.33
Транспортная упаковка: размер/кол-во
60*50*50/30
Категория:
Наименование
FF200R12KT4HOSA1
Показать весь текст
Описание
Транзистор биполярный FF200R12KT4HOSA1 — это мощный полупроводниковый компонент, предназначенный для работы в высоковольтных приложениях. Этот транзистор обеспечивает отличные характеристики по току и напряжению, работая при номинальном токе 200 А и максимальном напряжении до 1200 В. Он используется в промышленных системах, таких как силовые инверторы, преобразователи частоты и системы электропитания для контроля и распределения энергии. FF200R12KT4HOSA1 характеризуется высокой эффективностью и стабильностью, что делает его надежным элементом в высоковольтных и высокоскоростных устройствах.
Применение:
- Силовые инверторы и преобразователи частоты
- Электрические системы распределения и управления энергией
- Высокоскоростные и высоковольтные устройства
- Мощные источники питания и промышленные преобразователи
Доставка
Мы доставляем по всей России. Ниже представлены примерные сроки доставки в крупные города:
Остались вопросы по товару?
Менеджер профессионально ответит
на ваши вопросы
Упаковка для микросхем Tray QFP 615 (1414 mm), тип упаковки Tray, размер 615 мм, корпус QFP, размеры чипа 1414 мм
Артикул: 695504
В наличии: 158 шт.
Цена: 137.21 руб.
x
