IGBT-транзистор FF200R12KT4HOSA1
Производитель:
Технические параметры
Мощность
рассеиваемая (Pd) - 1100 Вт
Тип
IGBT модуль
Диапазон рабочих температур
-40…+150 °С
Напряжение
1200В
Корпус
62 мм
Упаковка
TRAY, 10 шт.
Максимальный ток
320A
Описание
Trench FS
MSL(Уровень чувствительности к влажности)
1
Вес брутто
403.33
Транспортная упаковка: размер/кол-во
57*31*26/30
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В
2,05
Максимальное напряжение КЭ (Vces), В
1200
Максимальный ток коллектора (Ic), А
200
Пороговое напряжение затвор-эмиттер Vge(th), В
5,8
Потери на переключение при 25°С (Ets), мДж
35
Категория:
Наименование
FF200R12KT4HOSA1
Показать весь текст
Доставка
Мы доставляем по всей России. Ниже представлены примерные сроки доставки в крупные города:
Остались вопросы по товару?
Менеджер профессионально ответит
на ваши вопросы
