IGBT-транзистор STGW60H65DFB, 60 А, 650 В, TO-247

IGBT-транзистор STGW60H65DFB представляет собой высокоскоростной силовой полупроводниковый прибор серии HB, изготовленный по технологии trench gate field-stop. Модель рассчитана на напряжение до 650 В и номинальный ток 60 А и выполнена в корпусе TO-247. Транзистор сочетает низкое напряжение насыщения с небольшими коммутационными потерями и оснащен очень быстрым антипараллельным диодом мягкого восстановления. Стабильность параметров и положительный температурный коэффициент позволяют применять компонент в эффективных силовых преобразователях и использовать параллельное включение транзисторов.
Применение:
- Используется в сетевых и центральных солнечных инверторах.
- Применяется в AC/DC-преобразователях.
- Подходит для высокочастотных силовых преобразовательных каскадов.
- Используется в инверторной технике, где важны низкие коммутационные потери и высокая эффективность.






