Транзистор полевой IGW30N60H3FKSA1, IGBT, 600 В, 30 А, корпус TO-247
Бесплатная доставка до транспортной компании
Технические параметры
Тип
IGBT
Диапазон рабочих температур
-40…+175 °С
Способ монтажа
сквозной (THT)
Корпус
TO-247
Описание
Trench FS
Вес брутто
8.20
Транспортная упаковка: размер/кол-во
60*50*50/150
Напряжение насыщения КЭ Vce(sat), В
2,3
Максимальное напряжение КЭ (Vces), В
600
Максимальный ток коллектора (Ic), А
30
Пороговое напряжение затвор-эмиттер Vge(th), В
5,1
Потери на переключение при 25°С (Ets), мДж
1,38
Категория:
Наименование
IGW30N60H3FKSA1
Показать весь текст
Описание
Транзистор IGW30N60H3FKSA1 является IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с максимальным напряжением 600 В и током 30 А, предназначен для работы в высоковольтных и мощных приложениях. Его корпус TO-247 обеспечивает хорошее теплоотведение и устойчивость к большим нагрузкам, что делает его идеальным для использования в преобразователях, источниках питания и усилителях, где требуется высокая пропускная способность тока и напряжения. IGW30N60H3FKSA1 является отличным выбором для промышленных приложений с высокими требованиями к напряжению.
Применение:
- Используется в источниках питания и преобразователях для управления высокими напряжениями до 600 В и токами до 30 А.
- Применяется в усилителях и других мощных устройствах для усиления сигналов с высокими требованиями к мощности и напряжению.
- Широко используется в промышленной электронике, преобразователях и других устройствах, где требуется высокая стабильность и эффективность при высоком напряжении.
- Используется в схемах защиты и управления для приложений с высоким током и напряжением, обеспечивая надежную защиту и стабильную работу.
- Применяется в логических схемах и переключающих устройствах для эффективного управления большими токами и напряжениями.
Доставка
Мы доставляем по всей России. Ниже представлены примерные сроки доставки в крупные города:
Остались вопросы по товару?
Менеджер профессионально ответит
на ваши вопросы
