Транзистор полевой IKW25N120H3FKSA1, IGBT, 1200 В, 25 А, корпус TO-247
Бесплатная доставка до транспортной компании
Технические параметры
Мощность
рассеиваемая (Pd) - 326 Вт
Тип
IGBT
Диапазон рабочих температур
-40…+175 °С
Корпус
TO-247-3
Упаковка
TUBE, 30 шт.
Описание
IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 326 W Through Hole PG-TO247-3-1
Вес брутто
8.31
Транспортная упаковка: размер/кол-во
60*50*50/900
Категория:
Наименование
IKW25N120H3FKSA1
Показать весь текст
Описание
Транзистор IKW25N120H3FKSA1 является IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с максимальным напряжением 1200 В и током 25 А, предназначен для работы в высоковольтных и мощных приложениях, где требуется высокая пропускная способность тока и напряжения. Его корпус TO-247 обеспечивает отличное теплоотведение и устойчивость к высоким токам и напряжениям, что делает его идеальным для использования в промышленных преобразователях, усилителях и других мощных приложениях, где необходима высокая эффективность и надежность.
Применение:
- Используется в источниках питания и преобразователях для управления токами и напряжениями до 25 А при высоком напряжении до 1200 В.
- Применяется в усилителях для усиления сигналов с высоким требованием к мощности и стабильности при высоких напряжениях.
- Широко используется в промышленной электронике и других устройствах, где требуются высокие напряжения и стабильная работа при большом токе.
- Используется в схемах защиты и управления для приложений с высоким напряжением, обеспечивая надежную защиту при больших нагрузках.
- Применяется в логических схемах и переключающих устройствах для эффективного управления высокими токами и напряжениями.
Доставка
Мы доставляем по всей России. Ниже представлены примерные сроки доставки в крупные города:
Остались вопросы по товару?
Менеджер профессионально ответит
на ваши вопросы
