Транзистор полевой IKW40N65ES5XKSA1, IGBT, 650 В, 40 А, корпус TO-247
Бесплатная доставка до транспортной компании
Технические параметры
Мощность
230 Вт
Тип
IGBT
Диапазон рабочих температур
-40…+175 °С
Способ монтажа
Through Hole
Корпус
TO-247
Упаковка
TUBE, 30 шт.
Описание
IGBT Trench 650 V 79 A 230 W Through Hole PG-TO247-3
MSL(Уровень чувствительности к влажности)
1
Вес брутто
8.38
Транспортная упаковка: размер/кол-во
57*31*27/600
Категория:
Наименование
IKW40N65ES5XKSA1
Показать весь текст
Описание
Транзистор IKW40N65ES5XKSA1 является IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с максимальным напряжением 650 В и током 40 А. Этот транзистор предназначен для работы в высоковольтных и мощных приложениях, где требуется высокая пропускная способность тока и надежность при высоких напряжениях. Его корпус TO-247 обеспечивает отличное теплоотведение и стабильную работу при больших токах. IKW40N65ES5XKSA1 идеально подходит для источников питания, усилителей и других мощных приложений, где требуется высокая производительность.
Применение:
- Используется в источниках питания и преобразователях для управления токами и напряжениями до 40 А при напряжении до 650 В.
- Применяется в усилителях для усиления сигналов с высокими требованиями по мощности.
- Широко используется в промышленной электронике, автомобильной электронике и других устройствах с высокими требованиями по мощности и стабильности.
- Используется в схемах защиты и управления для приложений с высоким напряжением и током, обеспечивая стабильную работу при высоких нагрузках.
- Применяется в логических схемах и переключающих устройствах для эффективного управления большими токами и напряжениями.
Доставка
Мы доставляем по всей России. Ниже представлены примерные сроки доставки в крупные города:
Остались вопросы по товару?
Менеджер профессионально ответит
на ваши вопросы
