Транзистор полевой IKW50N65ES5XKSA1, IGBT, 650 В, 50 А, корпус TO-247
Бесплатная доставка до транспортной компании
Технические параметры
Мощность
рассеиваемая (Pd) - 274 Вт
Тип
IGBT
Диапазон рабочих температур
-40…+175 °С
Способ монтажа
Through Hole
Корпус
TO-247
Упаковка
TUBE, 30 шт.
Описание
IGBT Trench 650 V 80 A 274 W Through Hole PG-TO247-3
MSL(Уровень чувствительности к влажности)
1
Вес брутто
8.50
Категория:
Наименование
IKW50N65ES5XKSA1
Показать весь текст
Описание
Транзистор IKW50N65ES5XKSA1 является IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с максимальным напряжением 650 В и током 50 А, предназначен для работы в высоковольтных и мощных приложениях, где требуется высокая пропускная способность тока и напряжения. Его корпус TO-247 обеспечивает отличное теплоотведение, что делает транзистор идеальным для использования в промышленных преобразователях, усилителях и других мощных приложениях. IKW50N65ES5XKSA1 идеально подходит для управления большими токами и напряжениями в устройствах с высокой мощностью.
Применение:
- Используется в высоковольтных источниках питания и преобразователях для управления токами и напряжениями до 50 А при напряжении до 650 В.
- Применяется в усилителях и других мощных устройствах для усиления сигналов при большом токе и напряжении.
- Широко используется в промышленной электронике, автомобильной электронике и других устройствах, где требуется высокая производительность при большом токе и напряжении.
- Используется в схемах защиты и управления для приложений с высоким током и напряжением, обеспечивая надежную работу и защиту при больших нагрузках.
- Применяется в логических схемах и переключающих устройствах для эффективного управления большими токами и напряжениями.
Доставка
Мы доставляем по всей России. Ниже представлены примерные сроки доставки в крупные города:
Остались вопросы по товару?
Менеджер профессионально ответит
на ваши вопросы
