Антенны Инструмент КОММУТАЦИЯ ОСВЕЩЕНИЕ И ИНДИКАЦИЯ Разъемы Индикаторы и дисплеи Активные электронные компоненты Оборудование низкого напряжения Радио, акустика и связь Вентиляторы, охлаждение и электромеханика Модули, устройства и оборудование Датчики, измерение и контроль Инструмент для пайки и электромонтажа Источники питания и силовая электроника Кабельная продукция и монтаж Разъемы, клеммы и коммутация Пассивные электронные компоненты Расходные материалы, крепеж и упаковка Автоэлектрика и сопутствующие товары Тепловая техника и климатическое оборудование

Транзистор полевой IRF8313TRPBF, двойной N-канал, 30 В, 9,7 А, SO-8

Артикул:
853099
Производитель:
46.16 руб.
шт.
Минимальная норма отгрузки—от 25 шт.
В корзину
Бесплатная доставка до транспортной компании
Технические параметры
Мощность
рассеиваемая (Pd) - 2,5 Вт
Тип
MOSFET
Диапазон рабочих температур
-55…+150 °С
Напряжение
пороговое затвора (Vgs th)- 4 В
Способ монтажа
Through Hole
Корпус
TO-220
Упаковка
50
MSL(Уровень чувствительности к влажности)
1
Вес брутто
2.80
Транспортная упаковка: размер/кол-во
60*50*50/5000
Тип проводимости
N
Максимальное напряжение сток-исток, В
550
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А
4
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм
2200
Заряд затвора, нКл
12
Наименование
IRF830PBF
Показать весь текст
Описание

Полевой транзистор IRF8313TRPBF представляет собой сборку из двух силовых N-канальных MOSFET в компактном корпусе SO-8. Модель рассчитана на напряжение сток-исток до 30 В и непрерывный ток стока до 9,7 А для каждого канала при заданных производителем условиях. Низкое сопротивление открытого канала и небольшой заряд затвора снижают потери проводимости и переключения, что особенно важно в высокоэффективных преобразователях питания. Поверхностный монтаж и наличие двух транзисторов в одном корпусе позволяют уменьшить площадь силового узла на печатной плате.

Применение:

  • Используется в синхронных понижающих DC/DC-преобразователях.
  • Применяется в качестве электронного ключа нагрузки.
  • Подходит для компактных источников питания электронной аппаратуры.
  • Используется в схемах, где требуется два N-канальных MOSFET в одном корпусе.
Доставка
Мы доставляем по всей России. Ниже представлены примерные сроки доставки в крупные города:


Остались вопросы по товару?
Менеджер профессионально ответит на ваши вопросы
С этим товаром покупают
фото Полевой транзистор IRFB4115PBF
1000 шт. ожидаем 03.10.2026
Цена: 78.75 руб.
x
фото Полевой транзистор IRFB7430PBF
500 шт. ожидаем 03.10.2026
Цена: 127.31 руб.
x
фото Полевой транзистор STD20NF20
В наличии: 10 шт.
Цена: 108.99 руб.
x
Минимальная норма отгрузки—от 10 шт.
шт.
В корзину
фото IGBT-транзистор IKW75N65EH5XKSA1, 75 А, 650 В, TO-247
270 шт. ожидаем 03.10.2026
Цена: 210 руб.
x
Вы смотрели
фото GSM-антенна RANT GSM-01-01, SMA-M
В наличии: 642 шт.
Цена: 72.48 руб.
x
Минимальная норма отгрузки—от 2 шт.
шт.
В корзину