IRFBG30PBF
Производитель:

Технические параметры
Мощность
рассеиваемая (Pd) - 125 Вт
Тип
MOSFET
Диапазон рабочих температур
-55…+150 °С
Напряжение
пороговое затвора (Vgs th) - 4В
Способ монтажа
Through Hole
Корпус
TO-220AB
Упаковка
TUBE, 1000 шт.
Описание
MOSFET 1000V N-CH HEXFET
Время
задержки включения/ выключения - 25/ 29 нс
Максимально допустимое напряжение
затвор-исток (Vgs) ± 20 В
Вес брутто
2.82
Тип проводимости
N
Емкость, пФ
980
Максимальное напряжение сток-исток, В
1000
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм
5
Заряд затвора, нКл
80
Категория:
Наименование
IRFBG30PBF
Показать весь текст
Доставка
Мы доставляем по всей России. Ниже представлены примерные сроки доставки в крупные города:
Остались вопросы по товару?
Менеджер профессионально ответит
на ваши вопросы
Раздел не найден





